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1)片外程序存储器:
以下两种技术是当代主要的闪存技术:
NOR Flash ROM:Intel推出的以字节为单位随机存储,应用程序可以直接在其中执行,不必再把程序代码预先读入到RAM中。其接口简单,可直接连接到处理器的外围总线上。但其读写和擦除速度较慢
NAND Flash ROM:东芝推出的以页(行)为单位随机存储,在容量、使用寿命、成本上具有较大的优势。通常将其作为数据存储器,也可以作为程序存储器使用。U盘是其典型的应用。
2)片外数据存储器:
SDRAM、DDR/DDR2/DDR3/DDR4等。它们都是动态随机存储器,其信息存储都是以MOS管的栅极电容作为存储单元的,电容的充放电状态作为记录信息的0/1,而电容易漏电,这就需要定时刷新电容以保持原来的信息不变。
SDRAM即为同步DRAM,DDR是DDR SDRAM的简称,称其为双倍数据速率同步动态存储器。其特点是在系统时钟触发沿的上升、下降都能进行数据传输,从而把数据传输速率提高了一倍。其数据预读取能力为2位。
DDR2(DDR3)保持了DDR的双边沿触发传输特性,提高了存储器内部时钟工作频率,扩展了数据预读取位数(DDR2为4位,DDR3为8位)。使传输速率提高了2倍(DDR3位4倍)。
DDR4的数据传输速率是DDR3的2倍,且拥有两种规格。一种是以Single-ended Signaling为信号的,传输速率可达到1.6-3.2GB/s,另一种是基于差分信号技术的,其传输速率可达到6.4GB/s。
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